NXP PBHV8115T NPN Transistor, 1 A, 150 V, 3-Pin SOT-23
- RS 库存编号:
- 801-5570P
- 制造商零件编号:
- PBHV8115T
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 475 | RMB1.624 |
| 500 - 975 | RMB1.25 |
| 1000 - 2975 | RMB1.226 |
| 3000 + | RMB1.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-5570P
- 制造商零件编号:
- PBHV8115T
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 150 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 400 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1.1mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 60 mV | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 150 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最小直流电流增益 10 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 400 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 60 mV | ||
- COO (Country of Origin):
- CN