Nexperia PBHV8540Z,115 NPN Transistor, 500 mA, 500 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS 库存编号:
- 801-5574
- 制造商零件编号:
- PBHV8540Z
- 制造商:
- NXP
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RMB51.48
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.148 | RMB51.48 |
| 50 - 240 | RMB4.009 | RMB40.09 |
| 250 - 490 | RMB2.641 | RMB26.41 |
| 500 - 990 | RMB2.258 | RMB22.58 |
| 1000 + | RMB2.214 | RMB22.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-5574
- 制造商零件编号:
- PBHV8540Z
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 500 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 500 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 250 mV | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.8mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 500 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
最小直流电流增益 10 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 500 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 250 mV | ||
宽度 3.7mm | ||
高度 1.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.1 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN