Nexperia PBSS4041SPN,115 Dual NPN + PNP Transistor, 6.7 A, 60 V, 8-Pin SOIC
- RS 库存编号:
- 801-5637P
- 制造商零件编号:
- PBSS4041SPN
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 245 | RMB7.15 |
| 250 - 495 | RMB4.988 |
| 500 - 995 | RMB4.37 |
| 1000 + | RMB2.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-5637P
- 制造商零件编号:
- PBSS4041SPN
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 6.7 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 2.3 W | |
| 最小直流电流增益 | 75 (NPN), 80 (PNP) | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 350 (NPN) mV，-90 (PNP) mV | |
| 宽度 | 4mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1 (PNP) V，1.2 (NPN) V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.75mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 6.7 A | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 2.3 W | ||
最小直流电流增益 75 (NPN), 80 (PNP) | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 350 (NPN) mV，-90 (PNP) mV | ||
宽度 4mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1 (PNP) V，1.2 (NPN) V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.75mm | ||
高度 1.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH