WeEn Semiconductors Co., Ltd PHE13009 NPN Transistor, 12 A, 700 V, 3-Pin TO-220AB
- RS 库存编号:
- 801-5662
- 制造商零件编号:
- PHE13009
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.35 | RMB36.75 |
| 25 - 45 | RMB6.548 | RMB32.74 |
| 50 - 95 | RMB6.42 | RMB32.10 |
| 100 - 295 | RMB4.86 | RMB24.30 |
| 300 + | RMB3.978 | RMB19.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-5662
- 制造商零件编号:
- PHE13009
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 12 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 700 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 80 W | |
| 最小直流电流增益 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 700 V | |
| 最大工作频率 | 60 Hz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 10.3 x 4.5 x 15.8mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.6 V | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 高度 | 15.8mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2 V | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 12 A | ||
最大集电极-发射极电压 700 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 80 W | ||
最小直流电流增益 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 700 V | ||
最大工作频率 60 Hz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 10.3 x 4.5 x 15.8mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.6 V | ||
长度 10.3mm | ||
高度 15.8mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 2 V | ||
宽度 4.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY