Nexperia PMBT3904VS,115 Dual NPN Transistor, 200 mA, 40 V, 6-Pin SOT-666
- RS 库存编号:
- 801-5671
- 制造商零件编号:
- PMBT3904VS
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | RMB0.474 | RMB47.40 |
| 200 - 200 | RMB0.465 | RMB46.50 |
| 300 - 900 | RMB0.354 | RMB35.40 |
| 1000 - 3900 | RMB0.303 | RMB30.30 |
| 4000 + | RMB0.273 | RMB27.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-5671
- 制造商零件编号:
- PMBT3904VS
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 200 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SOT-666 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 300 mV | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 950 mV | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 200 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 SOT-666 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
最小直流电流增益 30 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.7mm | ||
宽度 1.3mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 300 mV | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 950 mV | ||
- COO (Country of Origin):
- CN