MSD1819A-RT1G , NPN 双极晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:210, 3针 SC-70封装
- RS 库存编号:
- 802-1948P
- 制造商零件编号:
- MSD1819A-RT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 400 件 (以卷装提供)*
RMB111.20
(不含税)
RMB125.60
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 400 - 800 | RMB0.278 |
| 1000 - 1800 | RMB0.255 |
| 2000 - 3800 | RMB0.25 |
| 4000 + | RMB0.133 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-1948P
- 制造商零件编号:
- MSD1819A-RT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SOT-323 (SC-70) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 最小直流电流增益 | 210 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 0.9mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5V 直流 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 SOT-323 (SC-70) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
最小直流电流增益 210 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 60 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.5V 直流 | ||
宽度 1.35mm | ||
高度 0.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN