MJD253-1G , PNP 双极晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE:15, 10 MHz, 功率, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 802-4543
- 制造商零件编号:
- MJD253-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB68.76
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB3.438 | RMB68.76 |
| 40 - 80 | RMB3.146 | RMB62.92 |
| 100 - 180 | RMB2.642 | RMB52.84 |
| 200 - 380 | RMB2.59 | RMB51.80 |
| 400 + | RMB2.53 | RMB50.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-4543
- 制造商零件编号:
- MJD253-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 12.5 W | |
| 最小直流电流增益 | 15 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 最大工作频率 | 10 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V 直流 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.8 V 直流 | |
| 宽度 | 6.35mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.35 x 2.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 12.5 W | ||
最小直流电流增益 15 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 100 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
最大工作频率 10 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 V 直流 | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.8 V 直流 | ||
宽度 6.35mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
长度 6.73mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 2.38mm | ||
尺寸 6.73 x 6.35 x 2.38mm | ||