NSS12100M3T5G , PNP 双极晶体管, -3 A, Vce=-12 V, HFE:80, 小信号, 3针 SOT-723封装
- RS 库存编号:
- 805-1772
- 制造商零件编号:
- NSS12100M3T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB109.50
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RMB123.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB2.19 | RMB109.50 |
| 100 - 200 | RMB1.436 | RMB71.80 |
| 250 - 450 | RMB1.408 | RMB70.40 |
| 500 - 950 | RMB1.38 | RMB69.00 |
| 1000 + | RMB1.07 | RMB53.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-1772
- 制造商零件编号:
- NSS12100M3T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 12 V | |
| 封装类型 | SOT-723 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 460 mW | |
| 最小直流电流增益 | 80 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -12 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 1.25mm | |
| 尺寸 | 1.25 x 0.85 x 0.55mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.15 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.035 V | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 12 V | ||
封装类型 SOT-723 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 460 mW | ||
最小直流电流增益 80 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -12 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 1.25mm | ||
尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.15 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.035 V | ||
宽度 0.85mm | ||
高度 0.55mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||