MMBTH10M3T5G , NPN 射频双极晶体管, 4 mA, Vce=25 V, HFE:60, 100 MHz, 3针 SOT-723封装
- RS 库存编号:
- 805-2753P
- 制造商零件编号:
- MMBTH10M3T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 400 | RMB0.60 |
| 500 - 900 | RMB0.50 |
| 1000 - 1900 | RMB0.40 |
| 2000 + | RMB0.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-2753P
- 制造商零件编号:
- MMBTH10M3T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 4 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 25 V | |
| 封装类型 | SOT-723 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 640 mW | |
| 最小直流电流增益 | 60 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 3 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.25mm | |
| 尺寸 | 1.25 x 0.85 x 0.55mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5V 直流 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 4 mA | ||
最大集电极-发射极电压 25 V | ||
封装类型 SOT-723 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 640 mW | ||
最小直流电流增益 60 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 30 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 3 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 0.85mm | ||
高度 0.55mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.25mm | ||
尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.5V 直流 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN