NSVBC858BLT1G , PNP 双极晶体管, -100 mA, Vce=-30 V, HFE:220, 100 MHz, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 805-2879
- 制造商零件编号:
- NSVBC858BLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 200 件）*
RMB88.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | RMB0.444 | RMB88.80 |
| 400 - 800 | RMB0.432 | RMB86.40 |
| 1000 - 1800 | RMB0.367 | RMB73.40 |
| 2000 - 2800 | RMB0.36 | RMB72.00 |
| 3000 + | RMB0.279 | RMB55.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-2879
- 制造商零件编号:
- NSVBC858BLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 225 mW | |
| 最小直流电流增益 | 220 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -30 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.65 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -0.9 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 225 mW | ||
最小直流电流增益 220 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -30 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.04mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V | ||
宽度 1.4mm | ||
高度 1.01mm | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||