NSS12501UW3T2G , NPN 双极晶体管, 5 A, Vce=12 V, HFE:200, 100 MHz, 3针 WDFN封装
- RS 库存编号:
- 805-3119P
- 制造商零件编号:
- NSS12501UW3T2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 225 | RMB3.344 |
| 250 - 475 | RMB2.87 |
| 500 - 975 | RMB2.864 |
| 1000 + | RMB2.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-3119P
- 制造商零件编号:
- NSS12501UW3T2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 12 V | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 12 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 2mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.12 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 5 A | ||
最大集电极-发射极电压 12 V | ||
封装类型 WDFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 12 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 2mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.75mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
尺寸 2 x 2 x 0.75mm | ||
长度 2mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.12 V | ||
- COO (Country of Origin):
- MY