NSS40601CF8T1G , NPN 双极晶体管, 6 A, Vce=40 V, HFE:200, 140 MHz, 晶体管, 8针 芯片 FET封装
- RS 库存编号:
- 805-6809P
- 制造商零件编号:
- NSS40601CF8T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB160.20
(不含税)
RMB181.05
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 225 | RMB3.204 |
| 250 - 475 | RMB2.112 |
| 500 - 975 | RMB2.07 |
| 1000 + | RMB1.656 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-6809P
- 制造商零件编号:
- NSS40601CF8T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 6 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | ChipFET | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 830 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 140 MHz | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.135 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 6 A | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 ChipFET | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 830 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 140 MHz | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm | ||
长度 3.1mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.135 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY