SBC847CDW1T1G, 双 NPN 双极晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 100 MHz, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 805-8842P
- 制造商零件编号:
- SBC847CDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 200 件 (以卷装提供)*
RMB86.60
(不含税)
RMB97.80
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 400 | RMB0.433 |
| 500 - 900 | RMB0.425 |
| 1000 - 2400 | RMB0.416 |
| 2500 + | RMB0.408 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-8842P
- 制造商零件编号:
- SBC847CDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 380 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | 50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 1mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 380 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 50 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
高度 1mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 V | ||
宽度 1.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN