SMBT3906DW1T1G, 双 PNP 双极晶体管, -200 mA, Vce=-40 V, HFE:30, 250 MHz, 6针 SOT-363封装

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805-8852
制造商零件编号:
SMBT3906DW1T1G
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

晶体管类型

PNP

最大直流集电极电流

200 mA

最大集电极-发射极电压

40 V

封装类型

SOT-363 (SC-88)

安装类型

表面贴装

最大功率耗散

150 mW

最小直流电流增益

30

晶体管配置

隔离式

最大集电极-基极电压

-40 V

最大发射极-基极电压

-5 V

最大工作频率

250 MHz

引脚数目

6

每片芯片元件数目

2

最大集电极-发射极饱和电压

-0.4 V

宽度

1.35mm

高度

1mm

最高工作温度

+150 °C

尺寸

2.2 x 1.35 x 1mm

长度

2.2mm

最大基极-发射极饱和电压

-0.95 V

最低工作温度

-55 °C

汽车标准

AEC-Q101