MBT35200MT1G , PNP 双极晶体管, -2 A, Vce=-35 V, HFE:100, 100 MHz, Switching Transistor, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 806-2548P
- 制造商零件编号:
- MBT35200MT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB386.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 475 | RMB1.368 |
| 500 - 975 | RMB1.262 |
| 1000 - 1975 | RMB1.171 |
| 2000 + | RMB1.094 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-2548P
- 制造商零件编号:
- MBT35200MT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 35 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -55 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.15 V | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -0.85 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 35 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1 W | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -55 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.15 V | ||
宽度 1.7mm | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -0.85 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY