KSD363RTU , NPN 双极晶体管, 6 A, Vce=120 V, HFE:40, 1 MHz, 外延型晶体管, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 806-2766
- 制造商零件编号:
- KSD363RTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 管，共 50 件）*
RMB204.60
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB4.092 | RMB204.60 |
| 100 - 200 | RMB2.723 | RMB136.15 |
| 250 - 450 | RMB2.67 | RMB133.50 |
| 500 + | RMB2.46 | RMB123.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-2766
- 制造商零件编号:
- KSD363RTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 6 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 120 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 300 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 8 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 尺寸 | 9.9 x 4.5 x 14.2mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.5 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 高度 | 14.2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 6 A | ||
最大集电极-发射极电压 120 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 40 W | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 300 V | ||
最大发射极-基极电压 8 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.5mm | ||
尺寸 9.9 x 4.5 x 14.2mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.5 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1 V | ||
长度 9.9mm | ||
高度 14.2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||