KSC1008OBU , NPN 双极晶体管, 700 mA, Vce=60 V, HFE:40, 1 MHz, 外延型晶体管, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 806-4459
- 制造商零件编号:
- KSC1008OBU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 200 - 800 | RMB0.47 | RMB94.00 |
| 1000 - 1800 | RMB0.286 | RMB57.20 |
| 2000 - 9800 | RMB0.28 | RMB56.00 |
| 10000 - 19800 | RMB0.204 | RMB40.80 |
| 20000 + | RMB0.20 | RMB40.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-4459
- 制造商零件编号:
- KSC1008OBU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 700 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 800 mW | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 8 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.86mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | |
| 长度 | 4.58mm | |
| 尺寸 | 4.58 x 3.86 x 4.58mm | |
| 高度 | 4.58mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.4 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 700 mA | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 800 mW | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 8 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.86mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.1 V | ||
长度 4.58mm | ||
尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm | ||
高度 4.58mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
