KSH45H11ITU , PNP 双极晶体管, -8 A, Vce=-80 V, HFE:40, 1 MHz, 外延型晶体管, 3针 TO-251封装
- RS 库存编号:
- 806-4608P
- 制造商零件编号:
- KSH45H11ITU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按管提供)*
RMB186.00
(不含税)
RMB210.00
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB3.72 |
| 100 - 490 | RMB2.458 |
| 500 - 990 | RMB2.41 |
| 1000 + | RMB1.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-4608P
- 制造商零件编号:
- KSH45H11ITU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 8 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -10 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -1 V | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.3 x 6.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 6.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 8 A | ||
最大集电极-发射极电压 80 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 20 W | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -10 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -1 V | ||
宽度 2.3mm | ||
尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.6mm | ||
高度 6.1mm | ||