KST5551MTF , NPN 双极晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 100 MHz, 放大器,硅外延, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 806-4664P
- 制造商零件编号:
- KST5551MTF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB283.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1000 - 1800 | RMB0.283 |
| 2000 - 9800 | RMB0.261 |
| 10000 - 19800 | RMB0.193 |
| 20000 + | RMB0.182 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-4664P
- 制造商零件编号:
- KST5551MTF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 600 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 160 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 350 mW | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 180 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.97mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.2 V | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 高度 | 0.97mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 600 mA | ||
最大集电极-发射极电压 160 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 350 mW | ||
最小直流电流增益 30 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 180 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.97mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V | ||
宽度 1.3mm | ||
高度 0.97mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||