FDY102PZ , P沟道 MOSFET 晶体管, -0.83 A, Vds=-20 V, 3针 SC-89封装
- RS 库存编号:
- 807-0717
- 制造商零件编号:
- FDY102PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB81.60
(不含税)
RMB92.20
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.632 | RMB81.60 |
| 250 - 450 | RMB0.908 | RMB45.40 |
| 500 - 2450 | RMB0.89 | RMB44.50 |
| 2500 - 4950 | RMB0.67 | RMB33.50 |
| 5000 + | RMB0.57 | RMB28.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-0717
- 制造商零件编号:
- FDY102PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 830 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.8 Ω | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-523 (SC-89) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 625 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 宽度 | 0.98mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 100 pF @ -10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 1.7 x 0.98 x 0.78mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3.5 ns | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 0.78mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 830 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 1.8 Ω | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-523 (SC-89) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 625 mW | ||
典型关断延迟时间 23 ns | ||
宽度 0.98mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.2 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 100 pF @ -10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 1.7 x 0.98 x 0.78mm | ||
长度 1.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3.5 ns | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 0.78mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||