FJE3303H2TU , NPN 高压双极晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:5, 4 MHz, 功率晶体管, 3针 TO-126封装
- RS 库存编号:
- 807-0852
- 制造商零件编号:
- FJE3303H2TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB47.64
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 40 | RMB2.382 | RMB47.64 |
| 60 - 160 | RMB2.338 | RMB46.76 |
| 180 - 460 | RMB1.61 | RMB32.20 |
| 480 - 940 | RMB1.568 | RMB31.36 |
| 960 + | RMB1.353 | RMB27.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-0852
- 制造商零件编号:
- FJE3303H2TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 1.5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 400 V | |
| 封装类型 | TO-126 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 最小直流电流增益 | 5 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 700 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 9 V | |
| 最大工作频率 | 4 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.25mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 3 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 11mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 尺寸 | 8 x 3.25 x 11mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 1.5 A | ||
最大集电极-发射极电压 400 V | ||
封装类型 TO-126 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 20 W | ||
最小直流电流增益 5 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 700 V | ||
最大发射极-基极电压 9 V | ||
最大工作频率 4 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.25mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 3 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 11mm | ||
长度 8mm | ||
尺寸 8 x 3.25 x 11mm | ||