FMB200, 双 PNP 双极晶体管, -0.5 A, Vce=-45 V, HFE:100, 300 MHz, 6针 SuperSOT封装
- RS 库存编号:
- 807-1000
- 制造商零件编号:
- FMB200
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB60.525
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RMB68.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.421 | RMB60.53 |
| 125 - 225 | RMB1.377 | RMB34.43 |
| 250 - 1225 | RMB1.35 | RMB33.75 |
| 1250 - 2475 | RMB1.028 | RMB25.70 |
| 2500 + | RMB1.008 | RMB25.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-1000
- 制造商零件编号:
- FMB200
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 700 mW | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | -60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V | |
| 最大工作频率 | 300 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.4 V | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1 V | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 700 mW | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 -60 V | ||
最大发射极-基极电压 -6 V | ||
最大工作频率 300 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.4 V | ||
宽度 1.7mm | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.7 x 1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1 V | ||
高度 1mm | ||