NSV1C300ET4G , PNP 双极晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:50, 100 MHz, 高速切换，低电压, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 807-9912P
- 制造商零件编号:
- NSV1C300ET4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 150 | RMB2.55 |
| 200 - 450 | RMB2.385 |
| 500 - 950 | RMB2.213 |
| 1000 + | RMB2.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-9912P
- 制造商零件编号:
- NSV1C300ET4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 33 W | |
| 最小直流电流增益 | 50 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 140 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.07 V | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 33 W | ||
最小直流电流增益 50 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 140 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.07 V | ||
高度 2.38mm | ||
宽度 6.22mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1 V | ||