NSS20200LT1G , PNP 双极晶体管, -2 A, Vce=-20 V, HFE:150, 100 MHz, 高速切换，低电压, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 808-0161P
- 制造商零件编号:
- NSS20200LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计 200 件 (以卷装提供)*
RMB208.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 400 | RMB1.04 |
| 500 - 900 | RMB1.02 |
| 1000 - 1900 | RMB0.796 |
| 2000 + | RMB0.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-0161P
- 制造商零件编号:
- NSS20200LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 710 mW | |
| 最小直流电流增益 | 150 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -20 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | -7 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.008 V | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -0.9 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 710 mW | ||
最小直流电流增益 150 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -20 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 -7 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.01mm | ||
宽度 1.4mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.008 V | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||