TIP32CTU , PNP 双极晶体管, -3 A, Vce=-100 V, HFE:10, 1 MHz, 晶体管, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 808-0530P
- 制造商零件编号:
- TIP32CTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 125 件 (按管提供)*
RMB239.75
(不含税)
RMB270.875
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 225 | RMB1.918 |
| 250 - 1225 | RMB1.88 |
| 1250 - 2475 | RMB1.31 |
| 2500 + | RMB1.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-0530P
- 制造商零件编号:
- TIP32CTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.8 V | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 16.51mm | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 40 W | ||
最小直流电流增益 10 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -100 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.67mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.8 V | ||
宽度 4.83mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm | ||
高度 16.51mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY