NST857BDP6T5G, 双 PNP 双极晶体管, -100 mA, Vce=-45 V, HFE:220, 100 MHz, 6针 SOT-963封装
- RS 库存编号:
- 808-4126
- 制造商零件编号:
- NST857BDP6T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | RMB0.74 | RMB74.00 |
| 200 - 400 | RMB0.682 | RMB68.20 |
| 500 - 900 | RMB0.625 | RMB62.50 |
| 1000 - 1900 | RMB0.57 | RMB57.00 |
| 2000 + | RMB0.552 | RMB55.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-4126
- 制造商零件编号:
- NST857BDP6T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SOT-963 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 420 mW | |
| 最小直流电流增益 | 220 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | -50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -0.7 V | |
| 尺寸 | 1.05 x 0.85 x 0.4mm | |
| 高度 | 0.4mm | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.3 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SOT-963 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 420 mW | ||
最小直流电流增益 220 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 -50 V | ||
最大发射极-基极电压 -6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大基极-发射极饱和电压 -0.7 V | ||
尺寸 1.05 x 0.85 x 0.4mm | ||
高度 0.4mm | ||
宽度 0.85mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 1.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.3 V | ||