Nexperia PBSS5580PA,115 PNP Transistor, 4 A, 80 V, 3-Pin HUSON
- RS 库存编号:
- 815-0670P
- 制造商零件编号:
- PBSS5580PA
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 60 - 140 | RMB1.74 |
| 160 - 480 | RMB1.389 |
| 500 - 2980 | RMB1.159 |
| 3000 + | RMB0.993 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 815-0670P
- 制造商零件编号:
- PBSS5580PA
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V | |
| 封装类型 | HUSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 最小直流电流增益 | 70 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -7 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -0.9 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -60 mV | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 高度 | 0.65mm | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 80 V | ||
封装类型 HUSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
最小直流电流增益 70 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -80 V | ||
最大发射极-基极电压 -7 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 2.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -60 mV | ||
宽度 2.1mm | ||
高度 0.65mm | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 0.65mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN