Nexperia PBLS2001D,115 Dual NPN + PNP Transistor, 1 A, 20 V, 6-Pin SOT-457 (SC-74)
- RS 库存编号:
- 816-0664P
- 制造商零件编号:
- PBLS2001D
- 制造商:
- NXP
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RMB132.36
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RMB149.52
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 120 - 480 | RMB1.103 |
| 510 - 960 | RMB0.883 |
| 990 - 2970 | RMB0.736 |
| 3000 + | RMB0.632 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 816-0664P
- 制造商零件编号:
- PBLS2001D
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-457 (SC-74) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 600 mW | |
| 最小直流电流增益 | 220 | |
| 晶体管配置 | N+P 负载开关 | |
| 最大集电极-基极电压 | -20 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -90 mV | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.1 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 20 V | ||
封装类型 SOT-457 (SC-74) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 600 mW | ||
最小直流电流增益 220 | ||
晶体管配置 N+P 负载开关 | ||
最大集电极-基极电压 -20 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -90 mV | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 1.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY