Nexperia BC856S Dual PNP Transistor, 100 mA, 65 V, 6-Pin SOT-363
- RS 库存编号:
- 816-7732
- 制造商零件编号:
- BC856S
- 制造商:
- NXP
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小计（1 包，共 200 件）*
RMB68.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 200 - 99800 | RMB0.342 | RMB68.40 |
| 100000 - 199800 | RMB0.257 | RMB51.40 |
| 200000 - 299800 | RMB0.206 | RMB41.20 |
| 300000 - 599800 | RMB0.171 | RMB34.20 |
| 600000 + | RMB0.147 | RMB29.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 816-7732
- 制造商零件编号:
- BC856S
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 65 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 250 mW | |
| 最小直流电流增益 | 110 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | -80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -100 mV | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1.1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -700 mV | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 65 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 250 mW | ||
最小直流电流增益 110 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 -80 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 1.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -100 mV | ||
宽度 1.35mm | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1.1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -700 mV | ||
- COO (Country of Origin):
- MY