ZXTN19020DFFTA , NPN 双极晶体管, 6.5 A, Vce=20 V, HFE:300, 160(典型值)MHz, 高增益功率晶体管, 3针 SOT-23F封装
- RS 库存编号:
- 822-8619
- 制造商零件编号:
- ZXTN19020DFFTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.042 | RMB40.42 |
| 50 - 290 | RMB3.641 | RMB36.41 |
| 300 - 1490 | RMB3.31 | RMB33.10 |
| 1500 - 2990 | RMB3.029 | RMB30.29 |
| 3000 + | RMB2.598 | RMB25.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 822-8619
- 制造商零件编号:
- ZXTN19020DFFTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 6.5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-23F | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最小直流电流增益 | 300 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 70 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 最大工作频率 | 160 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 190 mV | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1050 mV | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 6.5 A | ||
最大集电极-发射极电压 20 V | ||
封装类型 SOT-23F | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 2 W | ||
最小直流电流增益 300 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 70 V | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
最大工作频率 160 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.7 x 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 190 mV | ||
最大基极-发射极饱和电压 1050 mV | ||
宽度 1.7mm | ||