MJD31C-13 , NPN 双极晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:50, 3 MHz, 高电压晶体管, 2 + 1 (Tab)针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 823-1441
- 制造商零件编号:
- MJD31C-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 50 件）*
RMB78.15
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.563 | RMB78.15 |
| 250 - 450 | RMB1.388 | RMB69.40 |
| 500 - 1200 | RMB1.25 | RMB62.50 |
| 1250 - 2450 | RMB1.135 | RMB56.75 |
| 2500 + | RMB1.041 | RMB52.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-1441
- 制造商零件编号:
- MJD31C-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 15 W | |
| 最小直流电流增益 | 50 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 3 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 6.7 x 6.2 x 2.39mm | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.8 V | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 15 W | ||
最小直流电流增益 50 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 3 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm | ||
宽度 6.2mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.8 V | ||
高度 2.39mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.7mm | ||