ZX5T853GTA , NPN 双极晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:300, 130 MHz, 低饱和,中等功率, 3 + 1 (Tab)针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 823-1864
- 制造商零件编号:
- ZX5T853GTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.436 | RMB54.36 |
| 50 - 90 | RMB4.895 | RMB48.95 |
| 100 - 490 | RMB4.453 | RMB44.53 |
| 500 - 990 | RMB4.082 | RMB40.82 |
| 1000 + | RMB3.50 | RMB35.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-1864
- 制造商零件编号:
- ZX5T853GTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 6 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 最小直流电流增益 | 300 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 200 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 最大工作频率 | 130 MHz | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.8 (With Pin)mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1120 mV | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 220 mV | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 高度 | 1.8 (With Pin)mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 6 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 3 W | ||
最小直流电流增益 300 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 200 V | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
最大工作频率 130 MHz | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8 (With Pin)mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1120 mV | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 220 mV | ||
宽度 3.7mm | ||
高度 1.8 (With Pin)mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||