ZXTN620MATA , NPN 双极晶体管, 3.8 A, Vce=80 V, HFE:900, 160 MHz, 低饱和, 3针 DFN2020B-3封装
- RS 库存编号:
- 823-2488
- 制造商零件编号:
- ZXTN620MATA
- 制造商:
- DiodesZetex
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RMB46.75
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB1.87 | RMB46.75 |
| 125 - 350 | RMB1.681 | RMB42.03 |
| 375 - 1475 | RMB1.528 | RMB38.20 |
| 1500 - 2975 | RMB1.404 | RMB35.10 |
| 3000 + | RMB1.204 | RMB30.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-2488
- 制造商零件编号:
- ZXTN620MATA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 3.8 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V | |
| 封装类型 | DFN-2020B | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 2.45 W | |
| 最小直流电流增益 | 900 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 最大工作频率 | 160 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.075mm | |
| 长度 | 2.08mm | |
| 尺寸 | 2.075 x 2.075 x 0.58mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.05 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 340 mV | |
| 高度 | 0.58mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 3.8 A | ||
最大集电极-发射极电压 80 V | ||
封装类型 DFN-2020B | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 2.45 W | ||
最小直流电流增益 900 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
最大工作频率 160 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.075mm | ||
长度 2.08mm | ||
尺寸 2.075 x 2.075 x 0.58mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.05 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 340 mV | ||
高度 0.58mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||