BCV62C, 双 PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250(典型值)MHz, 双晶体管, 4针 SOT-143封装
- RS 库存编号:
- 823-5481
- 制造商零件编号:
- BCV62C
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB0.371 | RMB18.55 |
| 250 - 450 | RMB0.361 | RMB18.05 |
| 500 - 1450 | RMB0.351 | RMB17.55 |
| 1500 - 2950 | RMB0.341 | RMB17.05 |
| 3000 + | RMB0.331 | RMB16.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-5481
- 制造商零件编号:
- BCV62C
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-143 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 电流反射镜 | |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 250 MHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 850 mV | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 650 mV | |
| 最低工作温度 | 0 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 SOT-143 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 电流反射镜 | ||
最大集电极-基极电压 30 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 250 MHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 850 mV | ||
最大集电极-发射极饱和电压 650 mV | ||
最低工作温度 0 °C | ||
长度 2.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN