ZXT849KTC , NPN 双极晶体管, 7 A, Vce=80 V, HFE:100, 100(典型)MHz, 低饱和, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 824-5484
- 制造商零件编号:
- ZXT849KTC
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计(1 包,共 5 件)*
RMB36.84
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.368 | RMB36.84 |
| 25 - 245 | RMB6.628 | RMB33.14 |
| 250 - 1245 | RMB6.014 | RMB30.07 |
| 1250 - 2495 | RMB5.528 | RMB27.64 |
| 2500 + | RMB4.734 | RMB23.67 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 824-5484
- 制造商零件编号:
- ZXT849KTC
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 7 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 4.2 W | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 280 mV | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.15 mV | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 7 A | ||
最大集电极-发射极电压 80 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 4.2 W | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 280 mV | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 2.38mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.15 mV | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 6.73mm | ||