BFP840ESDH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 35 mA, Vce=2.25 V, HFE:150, 80 GHz, 射频晶体管, 4针 SOT-343封装
- RS 库存编号:
- 826-8992
- 制造商零件编号:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB142.10
(不含税)
RMB160.55
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 950 | RMB2.842 | RMB142.10 |
| 1000 - 1950 | RMB1.642 | RMB82.10 |
| 2000 - 2950 | RMB1.61 | RMB80.50 |
| 3000 - 5950 | RMB1.501 | RMB75.05 |
| 6000 + | RMB1.472 | RMB73.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8992
- 制造商零件编号:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 35 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 2.25 V | |
| 封装类型 | SOT-343 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 75 mW | |
| 最小直流电流增益 | 150 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 2.9 V | |
| 最大工作频率 | 80 GHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 35 mA | ||
最大集电极-发射极电压 2.25 V | ||
封装类型 SOT-343 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 75 mW | ||
最小直流电流增益 150 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 2.9 V | ||
最大工作频率 80 GHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2mm | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.25mm | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||