BFP740H6327 , NPN 硅锗双极晶体管, 30 mA, Vce=4 V, HFE:160, 42 GHz, 射频晶体管, 4针 SOT-343封装

可享批量折扣

小计 500 件 (以卷装提供)*

RMB1,720.00

(不含税)

RMB1,945.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

单位
每单位
500 - 975RMB3.44
1000 - 1475RMB2.985
1500 - 2975RMB2.927
3000 +RMB2.87

* 参考价格

Packaging Options:
RS 库存编号:
827-5110P
制造商零件编号:
BFP740H6327
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

晶体管类型

NPN

最大直流集电极电流

30 mA

最大集电极-发射极电压

4 V

封装类型

SOT-343

安装类型

表面贴装

最大功率耗散

160 mW

最小直流电流增益

160

晶体管配置

最大集电极-基极电压

13 V

最大发射极-基极电压

1.2 V

最大工作频率

42 GHz

引脚数目

4

每片芯片元件数目

1

最低工作温度

-65 °C

宽度

1.25mm

最高工作温度

+150 °C

尺寸

2 x 1.25 x 0.9mm

高度

0.9mm

长度

2mm