BFP740FESDH6327 , NPN 硅锗双极晶体管, 45 mA, Vce=4.2 V, HFE:160, 47 GHz, 射频晶体管, 4针 TSFP封装
- RS 库存编号:
- 827-5114P
- 制造商零件编号:
- BFP740FESDH6327
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 500 件 (以卷装提供)*
RMB1,750.00
(不含税)
RMB1,980.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 500 - 975 | RMB3.50 |
| 1000 - 1475 | RMB2.963 |
| 1500 - 2975 | RMB2.905 |
| 3000 + | RMB2.848 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5114P
- 制造商零件编号:
- BFP740FESDH6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 45 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 4.2 V | |
| 封装类型 | TSFP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 160 mW | |
| 最小直流电流增益 | 160 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 4.9 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 0.5 V | |
| 最大工作频率 | 47 GHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 1.4 x 0.8 x 0.55mm | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 0.8mm | |
| 长度 | 1.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 45 mA | ||
最大集电极-发射极电压 4.2 V | ||
封装类型 TSFP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 160 mW | ||
最小直流电流增益 160 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 4.9 V | ||
最大发射极-基极电压 0.5 V | ||
最大工作频率 47 GHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 1.4 x 0.8 x 0.55mm | ||
高度 0.55mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 0.8mm | ||
长度 1.4mm | ||