BFP740FH6327 , NPN 硅锗双极晶体管, 30 mA, Vce=4 V, HFE:160, 42 GHz, 射频晶体管, 4针 TSFP封装
- RS 库存编号:
- 827-5123
- 制造商零件编号:
- BFP740FH6327
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB130.625
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RMB147.60
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | RMB5.225 | RMB130.63 |
| 500 - 975 | RMB3.658 | RMB91.45 |
| 1000 - 1475 | RMB2.985 | RMB74.63 |
| 1500 - 2975 | RMB2.927 | RMB73.18 |
| 3000 + | RMB2.87 | RMB71.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5123
- 制造商零件编号:
- BFP740FH6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 30 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 4 V | |
| 封装类型 | TSFP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 160 mW | |
| 最小直流电流增益 | 160 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 13 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 1.2 V | |
| 最大工作频率 | 42 GHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 1.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 宽度 | 0.8mm | |
| 尺寸 | 1.4 x 0.8 x 0.55mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 30 mA | ||
最大集电极-发射极电压 4 V | ||
封装类型 TSFP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 160 mW | ||
最小直流电流增益 160 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 13 V | ||
最大发射极-基极电压 1.2 V | ||
最大工作频率 42 GHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 1.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.55mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
宽度 0.8mm | ||
尺寸 1.4 x 0.8 x 0.55mm | ||