BFP640ESDH6327 , NPN 硅锗双极晶体管, 50 mA, Vce=4.1 V, HFE:110, 45 GHz, 射频晶体管, 4针 SOT-343封装
- RS 库存编号:
- 827-5154
- 制造商零件编号:
- BFP640ESDH6327
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB137.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | RMB5.50 | RMB137.50 |
| 500 - 975 | RMB3.85 | RMB96.25 |
| 1000 - 1475 | RMB3.08 | RMB77.00 |
| 1500 - 2975 | RMB3.02 | RMB75.50 |
| 3000 + | RMB2.944 | RMB73.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5154
- 制造商零件编号:
- BFP640ESDH6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 50 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 4.1 V | |
| 封装类型 | SOT-343 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最小直流电流增益 | 110 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 4.8 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 0.5 V | |
| 最大工作频率 | 45 GHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.9mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 50 mA | ||
最大集电极-发射极电压 4.1 V | ||
封装类型 SOT-343 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
最小直流电流增益 110 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 4.8 V | ||
最大发射极-基极电压 0.5 V | ||
最大工作频率 45 GHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 1.25mm | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm | ||
长度 2mm | ||