APT13005TF-G1 , NPN 高压双极晶体管, 4 A, Vce=700 V, HFE:8, 4(最低)MHz, 高电压功率晶体管, 3针 TO-220F封装
- RS 库存编号:
- 828-3339
- 制造商零件编号:
- APT13005TF-G1
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB3.105 | RMB77.63 |
| 125 - 225 | RMB2.76 | RMB69.00 |
| 250 - 600 | RMB2.484 | RMB62.10 |
| 625 - 1225 | RMB2.07 | RMB51.75 |
| 1250 + | RMB2.002 | RMB50.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 828-3339
- 制造商零件编号:
- APT13005TF-G1
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 700 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 28 W | |
| 最小直流电流增益 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 10 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 9 V | |
| 最大工作频率 | 4（最低）MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.3 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 16mm | |
| 尺寸 | 10.3 x 4.9 x 16mm | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 700 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 28 W | ||
最小直流电流增益 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 10 V | ||
最大发射极-基极电压 9 V | ||
最大工作频率 4（最低）MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.3 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 16mm | ||
尺寸 10.3 x 4.9 x 16mm | ||
宽度 4.9mm | ||
长度 10.3mm | ||