APT13003EZTR-G1 , NPN 高压双极晶体管, 1.5 A, Vce=700 V, HFE:5, 4(最低)MHz, 高电压功率晶体管, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 828-3341
- 制造商零件编号:
- APT13003EZTR-G1
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | RMB0.733 | RMB73.30 |
| 500 - 900 | RMB0.652 | RMB65.20 |
| 1000 - 2400 | RMB0.593 | RMB59.30 |
| 2500 - 4900 | RMB0.592 | RMB59.20 |
| 5000 + | RMB0.591 | RMB59.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 828-3341
- 制造商零件编号:
- APT13003EZTR-G1
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 1.5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 700 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 1.1 W | |
| 最小直流电流增益 | 5 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 10 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 9 V | |
| 最大工作频率 | 4（最低）MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 4.7mm | |
| 尺寸 | 4.7 x 3.7 x 4.7mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 长度 | 4.7mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.4 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 1.5 A | ||
最大集电极-发射极电压 700 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 1.1 W | ||
最小直流电流增益 5 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 10 V | ||
最大发射极-基极电压 9 V | ||
最大工作频率 4（最低）MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 4.7mm | ||
尺寸 4.7 x 3.7 x 4.7mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
长度 4.7mm | ||
宽度 3.7mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V | ||