BCW66KHB6327 , NPN 双极晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 音频晶体管, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 857-8396
- 制造商零件编号:
- BCW66KHB6327
- 制造商:
- Infineon
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卷 | 每卷 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 9 | RMB539.54 | RMB0.18 |
| 10 - 24 | RMB528.96 | RMB0.176 |
| 25 + | RMB510.00 | RMB0.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-8396
- 制造商零件编号:
- BCW66KHB6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 800mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 75 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 170 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.45 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.25 V | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 800mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 75 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 170 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.3mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.45 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.25 V | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||