SMBT3904PNH6327, 双 NPN，PNP 双极晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:30, 250(最小)MHz, 硅晶体管, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 857-8734
- 制造商零件编号:
- SMBT3904PNH6327
- 制造商:
- Infineon
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卷 | 每卷 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 9 | RMB690.60 | RMB0.23 |
| 10 - 24 | RMB662.28 | RMB0.221 |
| 25 + | RMB644.64 | RMB0.215 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-8734
- 制造商零件编号:
- SMBT3904PNH6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 200 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 250 mW | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 250（最小）MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.4 V | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.95 V | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 200 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 250 mW | ||
最小直流电流增益 30 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 250（最小）MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.25mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.95 V | ||
高度 0.8mm | ||