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小计 1200 件 (以卷装提供)*
RMB3,330.00
(不含税)
RMB3,763.20
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1200 - 2380 | RMB2.775 |
| 2400 - 4780 | RMB2.54 |
| 4800 - 7180 | RMB2.345 |
| 7200 + | RMB2.145 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 881-6550P
- 制造商零件编号:
- TSC128DCM RN
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 400 V | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 35 W | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 最大集电极-基极电压 | 700 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 9 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 尺寸 | 10.5 x 8.8 x 4.83mm | |
| 宽度 | 8.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 400 V | ||
封装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 35 W | ||
最小直流电流增益 10 | ||
最大集电极-基极电压 700 V | ||
最大发射极-基极电压 9 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 4.83mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
尺寸 10.5 x 8.8 x 4.83mm | ||
宽度 8.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW