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小计（1 包，共 20 件）*
RMB47.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 1980 | RMB2.355 | RMB47.10 |
| 2000 - 3980 | RMB2.145 | RMB42.90 |
| 4000 - 7980 | RMB1.965 | RMB39.30 |
| 8000 - 11980 | RMB1.815 | RMB36.30 |
| 12000 + | RMB1.66 | RMB33.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 881-6553
- 制造商零件编号:
- TSC128DCZ C0
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 400 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 35 W | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 最大集电极-基极电压 | 700 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 9 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 16.07mm | |
| 尺寸 | 10.55 x 4.65 x 16.07mm | |
| 长度 | 10.55mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 400 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 35 W | ||
最小直流电流增益 10 | ||
最大集电极-基极电压 700 V | ||
最大发射极-基极电压 9 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 16.07mm | ||
尺寸 10.55 x 4.65 x 16.07mm | ||
长度 10.55mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
宽度 4.65mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- TW