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小计（1 包，共 50 件）*
RMB53.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 2450 | RMB1.062 | RMB53.10 |
| 2500 - 4950 | RMB0.966 | RMB48.30 |
| 5000 - 9950 | RMB0.884 | RMB44.20 |
| 10000 - 14950 | RMB0.818 | RMB40.90 |
| 15000 + | RMB0.746 | RMB37.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 881-6626
- 制造商零件编号:
- TSD2150ACY RMG
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SOT-89 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 600 mW | |
| 最小直流电流增益 | 150 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V | |
| 尺寸 | 4.6 x 2.6 x 1.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 2.6mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 2 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 SOT-89 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 600 mW | ||
最小直流电流增益 150 | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V | ||
尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 2.6mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 2 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 4.6mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW