ZTX855 , NPN 双极晶体管, 4 A, Vce=150 V, HFE:35, 100 MHz, 中等功率晶体管, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 885-5678
- 制造商零件编号:
- ZTX855
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB5.70 | RMB57.00 |
| 100 - 490 | RMB4.60 | RMB46.00 |
| 500 - 990 | RMB3.80 | RMB38.00 |
| 1000 - 1990 | RMB3.30 | RMB33.00 |
| 2000 + | RMB3.00 | RMB30.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 885-5678
- 制造商零件编号:
- ZTX855
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 150 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 1.58 W | |
| 最小直流电流增益 | 35 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 250 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1100 mV | |
| 高度 | 4.01mm | |
| 尺寸 | 4.77 x 2.41 x 4.01mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 260 mV | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 2.41mm | |
| 长度 | 4.77mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 150 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 1.58 W | ||
最小直流电流增益 35 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 250 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
最大基极-发射极饱和电压 1100 mV | ||
高度 4.01mm | ||
尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 260 mV | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 2.41mm | ||
长度 4.77mm | ||