BU323ZG NPN 达林顿晶体管, 10 A 350 V, HFE=150, 3针 SOT-93封装
- RS 库存编号:
- 545-0157P
- 制造商零件编号:
- BU323ZG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB11.50 |
| 50 - 99 | RMB10.21 |
| 100 - 249 | RMB9.93 |
| 250 + | RMB9.53 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 545-0157P
- 制造商零件编号:
- BU323ZG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 10 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 350 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 封装类型 | SOT-93 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 150 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 2.2 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.6 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.1mA | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 15.2 x 4.9 x 16.2mm | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 高度 | 16.2mm | |
| 长度 | 15.2mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 10 A | ||
最大集电极-发射极电压 350 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
封装类型 SOT-93 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 150 | ||
最大基极-发射极饱和电压 2.2 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V | ||
最大集电极-基极截止电流 0.1mA | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 15.2 x 4.9 x 16.2mm | ||
宽度 4.9mm | ||
高度 16.2mm | ||
长度 15.2mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||