MJD112T4 NPN 达林顿晶体管, 4 A 100 V, HFE=200, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 686-8149
- 制造商零件编号:
- MJD112T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB72.24
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RMB81.64
(含税)
正在逐步停售
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- 最后 40 件在 2026年6月01日 发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.612 | RMB72.24 |
| 100 - 180 | RMB1.807 | RMB36.14 |
| 200 - 380 | RMB1.807 | RMB36.14 |
| 400 - 980 | RMB1.806 | RMB36.12 |
| 1000 + | RMB1.774 | RMB35.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 686-8149
- 制造商零件编号:
- MJD112T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 4 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 3 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.02mA | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 200 | ||
最大基极-发射极饱和电压 4 V | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 3 V | ||
最大集电极-基极截止电流 0.02mA | ||
长度 6.6mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
宽度 6.2mm | ||
高度 2.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||